金融界2025年6月23日消息，國家知識信息顯示，深圳市惠存半導體有限公司申請一項名為“一種提升RAM讀寫性能的方法、電子設備及介質”的，公開號CN120179170A，申請日期為2025年03月讀寫。

摘要顯示，本申請實施例公開了一種提升RAM讀寫性能的方法、電子設備及介質，該方法包括：獲取RAM的目標環境參數；獲取當前時刻的RAM的當前讀寫速率；獲取與目標環境參數對應的參考讀寫速率；在當前讀寫速率小于參考讀寫速率時，確定RAM的第一內存使用參數，第一內存使用參數包括第一總內存使用量和預設時間段內各個進程內存占用的第一內存變化監控數據，預設時間段為當前時刻之間預設時長的一個時間段；第一總內存使用量為當前時刻對應的RAM的總內存使用量；根據第一總內存使用量和第一內存變化監控數據識別a個異常進程；限制a個異常進程中的b個異常進程，以提升RAM讀寫性能讀寫。

天眼查資料顯示，深圳市惠存半導體有限公司，成立于2018年，位于深圳市，是一家以從事其他制造業為主的企業讀寫。企業注冊資本500萬人民幣。通過天眼查大數據分析，深圳市惠存半導體有限公司參與招投標項目3次，財產線索方面有商標信息8條，信息10條，此外企業還擁有行政許可8個。

來源：金融界