金融界2025年5月22日消息，國家知識信息顯示，中芯國際集成電路制造（上海）有限公司申請一項名為“存儲單元、存儲單元的形成方法、數據寫入方法及存儲器”的，公開號CN120021409A，申請日期為2023年11月讀寫。

摘要顯示，本申請涉及半導體技術領域，尤其涉及一種存儲單元、存儲單元的形成方法、數據寫入方法及存儲器，該存儲單元包括基底；依次位于所述基底上的自旋軌道矩層、絕緣層以及磁性隧道結層，所述磁性隧道結層包括層疊的自由層、隧道層以及參考層；其中，所述絕緣層用于降低所述自旋軌道矩層通電時對所述自由層的熱擴散影響；所述自旋軌道矩層用于產生自旋電流，并在外部電壓的作用下，隧穿過所述絕緣層進入所述自由層，以翻轉所述自由層中的磁化方向，從而可以通過外部電壓對自旋電流進入自由層的數量、快慢等進行控制，使得數據讀寫速度更加可控，寫入成本更低讀寫。

天眼查資料顯示，中芯國際集成電路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備制造業為主的企業讀寫。企業注冊資本244000萬美元。通過天眼查大數據分析，中芯國際集成電路制造（上海）有限公司共對外投資了4家企業，參與招投標項目127次，財產線索方面有商標信息149條，信息5000條，此外企業還擁有行政許可443個。

來源：金融界