金融界2025年7月30日消息，國家知識信息顯示，東莞記憶存儲科技有限公司取得一項名為“一種NAND走線分段阻抗結構”的，授權公告號CN223167100U，申請日期為2024年09月讀寫 。

摘要顯示，本實用公開了一種NAND走線分段阻抗結構，包括：SOC芯片、NAND顆粒以及連接于SOC芯片與NAND顆粒之間的NAND總線，NAND顆粒包括有多個晶粒，NAND總線包括第一段走線和第二段走線，第一段走線分別連接于SOC芯片和第二段走線，第二段走線分別連接于第一段走線和NAND顆粒，第一段走線的阻抗大于第二段走線的阻抗讀寫 。本實用通過將第一段走線阻抗設計為大于第二段走線，使得讀方向的余量增大，寫方向的余量減少，使讀寫性能更為均衡，降低因讀寫性能差異導致的系統瓶頸，提高用戶體驗和滿意度，并且有助于在信號進入NAND總線前進行阻抗匹配，減少信號反射和衰減，從而提高信號完整性。

天眼查資料顯示，東莞記憶存儲科技有限公司，成立于2012年，位于東莞市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備制造業為主的企業讀寫 。企業注冊資本19800萬人民幣。通過天眼查大數據分析，東莞記憶存儲科技有限公司共對外投資了3家企業，參與招投標項目37次，信息187條，此外企業還擁有行政許可79個。

來源：金融界