廣大用戶對固態硬盤（SSD）更快速度、更大容量的追求從未停歇，這也給NAND閃存制造商出了一道難題固態硬盤 。從21世紀開始，基于NAND閃存的固態硬盤開始加速普及，當時的產品采用“每單元存儲1 Bit數據”（Single-Level Cell）的設計，因此被簡稱為SLC固態硬盤。然而，在單位平方毫米內提升存儲字節數，很快就遭遇了物理極限——NAND芯片上的晶體管及其他電子結構的縮小幅度存在物理上限，一旦超出這個范圍，數據位就無法被穩定存儲。

為解決這一問題，閃存制造商采取了多項創新點子固態硬盤 。一方面，他們開始采用堆疊式單元設計：將更多存儲單元垂直堆疊，在不改變固態硬盤外形尺寸的前提下，大幅提升存儲容量。另一方面，他們研發出單單元多比特存儲技術：MLC（多層單元）可實現每單元存儲2 Bit數據，TLC（三層單元）能存儲3 Bit，而QLC（四層單元）則可存儲4 Bit。從理論上看，這似乎是空間不變、容量倍增的完美方案，但實際應用中，新結構也帶來了新問題：電子泄漏現象會導致數據留存不穩定，且更纖薄的結構易受損，使得硬盤的磨損度顯著增加。

如今，SLC和MLC固態硬盤已幾乎絕跡固態硬盤 。這類產品制造成本高昂，且容量存在硬性上限，早已無法滿足普通用戶日益增長的數據存儲需求，更不用說企業級場景的海量數據存儲需求了。在剩余的TLC和QLC兩種主流類型中，QLC曾因口碑不佳飽受爭議——不過這部分負面評價，大多源于技術剛起步時的成長陣痛。如今情況已大不相同，業界不再對TLC硬盤一邊倒地推薦，新一代QLC產品對多數用戶而言已足夠好用，這很大程度上要歸功于制造工藝的持續改進。

到底什么是QLC固態硬盤固態硬盤 ？——先補點工程學知識

所有固態硬盤的存儲原理本質相通，若從“單層單元（SLC）”的結構入手理解，會更為直觀固態硬盤 。每個存儲單元包含控制柵極、浮置柵極，以及一個作為電子源極與漏極的N溝道。當向單元的控制柵極施加電壓時，電子會從N溝道被“拉”到浮置柵極中，而浮置柵極中存儲的電荷狀態，就是數據位的物理載體。

在SLC NAND閃存中，存儲單元是串聯連接的，這使得數據讀取過程更為復雜：讀取某個單元的數據時，需要激活該單元的控制柵極，同時向串聯電路中其他所有單元施加約6伏的更高電壓固態硬盤 。此時浮置柵極僅需區分“有電荷”和“無電荷”兩種狀態，對應1 Bit數據的存儲。而工程師們意識到，若能讓浮置柵極承載更多種電荷狀態，就能在單個單元中存儲更多數據——MLC、TLC、QLC由此應運而生。

具體來看：MLC通過4種電荷狀態實現每單元存儲2 Bit數據；TLC需要區分8種電荷狀態，對應每單元3 Bit數據；QLC則要通過16種不同的電荷狀態，實現每單元4 Bit數據的存儲固態硬盤 。最終效果是：在不擴大物理設備體積的前提下，單單元存儲數據量提升、單NAND芯片容量提升、整個固態硬盤的容量也隨之大幅提升。

為何曾有人反對使用QLC NAND閃存固態硬盤 ？

將更多數據塞進單個單元，除了帶來容量優勢，也引發了一系列問題固態硬盤 。首先，QLC的耐用性遠不及其他類型的NAND閃存，且對環境溫度的敏感度更高；其次，電荷狀態的增多增加了數據讀取的復雜度——控制器需要更長時間判斷單元的電荷狀態，這直接導致硬盤的讀寫速度顯著下降。

為緩解這一問題，制造商引入了“偽SLC緩存（pSLC緩存）”技術：將QLC閃存的一部分空間（通常占硬盤總容量的10%左右）臨時用作SLC模式的存儲區域，在數據傳輸過程中先將數據暫存于此，以此提升瞬時讀寫速度固態硬盤 。

但事情遠沒那么絕對

盡管早期QLC確實存在速度慢、可靠性存疑等問題，但隨著技術成熟，如今普通用戶已很難分辨TLC與QLC在日常使用中的差異固態硬盤 。QLC早已不是劣等的選擇——只要你選購的是近年推出的新款產品，并提前參考專業評測，我完全有信心推薦你使用QLC固態硬盤。

誠然，QLC NAND閃存的速度確實比SLC、MLC、TLC都慢，但這種速度差距在日常場景中幾乎無法感知：無論是處理文檔、瀏覽網頁，還是運行，QLC的表現都足夠流暢——畢竟它的速度仍遠超最快的機械硬盤固態硬盤 。

如果你的QLC硬盤配備了DRAM緩存，速度還會進一步提升；而且固態硬盤也會默認利用部分系統內存作為緩存，進一步抵消了速度短板固態硬盤 。只有在超低延遲需求場景（如專業視頻渲染）或“高IOPS需求場景”（如數據庫高頻檢索）中，QLC的速度劣勢才可能顯現。

此外，固態硬盤控制器的品質也至關重要——這也是我建議選擇美光（Crucial）、三星（Samsung）、金士頓（Kingston）、SK海力士等知名品牌QLC硬盤的原因固態硬盤 。雖然重寫入任務仍可能導致QLC速度下降，但大多數用戶的日常使用以讀操作為主（如打開文件、加載），QLC完全能滿足這類場景的需求。

還有一個事實：如今的數據中心已廣泛采用QLC NAND閃存，企業用戶對技術選型的挑剔程度遠高于普通消費者，若QLC真的不堪用，即便TLC成本更高、容量更低，企業也不會選擇QLC固態硬盤 。

當然固態硬盤 ，在價格相近的情況下，優先推薦TLC

如今的QLC固態硬盤固態硬盤 ，雖然與早期產品相比已不可同日而語，但目前它尚存的兩個明顯短板是：

·需要保留足夠多的空閑空間供偽SLC緩存使用——若空閑空間不足，硬盤速度會顯著下降固態硬盤 。比如三星870 QVO的偽SLC緩存容量約占總容量的20%（如8TB型號緩存約1.6TB），順序寫入速度可達530MB/s，當剩余空間不足時，緩存無法有效回收，被迫進入QLC原生寫入模式（速度僅200MB/s左右）。

·使用壽命問題——理論上QLC的擦寫壽命較短，但我個人尚未遇到過QLC固態硬盤因磨損導致的故障，從實際應用來看，如果普通用戶日均寫入量約50GB～100GB，那么1TB QLC硬盤（TBW約200TB）可滿足4～6年使用需求，也許是我的數據寫入量沒有硬盤更換的速度快，老舊硬盤在出現故障之前就已經被淘汰了固態硬盤 。只要控制器的設計合理，且配備了完善的磨損均衡等優化技術，選擇QLC固態硬盤應對大多數日常任務，完全無需擔憂。