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杭州力芯存儲(chǔ)科技申請(qǐng)DLL模塊的電壓監(jiān)測(cè)電路和DRAM，實(shí)現(xiàn)在DRAM讀寫(xiě)錯(cuò)誤時(shí)根據(jù)DLL模塊工作電壓區(qū)間確定是否因電壓低導(dǎo)致讀寫(xiě)出錯(cuò):讀寫(xiě)
金融界2025年6月10日消息，國(guó)家知識(shí)信息顯示，杭州力芯存儲(chǔ)科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“DLL模塊的電壓監(jiān)測(cè)電路和DRAM”的，公開(kāi)號(hào)CN120126533A，申請(qǐng)日期為2025年05月讀寫(xiě)。摘要顯
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