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惠存半導體申請提升RAM讀寫性能方法，智能化提升RAM讀寫性能:讀寫
金融界2025年6月23日消息，國家知識信息顯示，深圳市惠存半導體有限公司申請一項名為“一種提升RAM讀寫性能的方法、電子設備及介質”的，公開號CN120179170A，申請日期為2025年03月讀寫
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奇瑞申請偽雙端口RAM讀寫控制相關，提高偽雙端口RAM的讀寫效率:讀寫
金融界2025年5月22日消息，國家知識信息顯示，奇瑞汽車股份有限公司申請一項名為“偽雙端口RAM的讀寫控制方法、裝置、設備以及存儲介質”的，公開號CN120015075A，申請日期為2025年01月
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華清科盛取得一種超高頻RFID讀寫器，提高了讀寫器的散熱能力:讀寫
金融界2025年6月4日消息，國家知識信息顯示，華清科盛（）信息技術有限公司取得一項名為“一種超高頻RFID讀寫器”的，授權公告號CN222939493U，申請日期為2024年08月讀寫。摘要顯示，
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中電云計算申請基于共享內存的文件讀寫，提升數據讀寫性能:讀寫
金融界2025年4月10日消息，國家知識信息顯示，中電云計算技術有限公司申請一項名為“一種基于共享內存的用戶態文件讀寫方法和系統及設備”的，公開號CN119781694A，申請日期為2024年12
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壁仞科技申請張量讀寫方法、裝置和人工智能芯片，提高了張量讀寫的速度:讀寫
金融界2025年5月20日消息，國家知識信息顯示，廣州壁仞集成電路有限公司、上海壁仞科技股份有限公司申請一項名為“張量讀寫方法、裝置和人工智能芯片”的，公開號CN120010788A，申請日期為202
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長鑫存儲申請讀寫轉換電路以及存儲器，提供一種讀寫轉換電路及存儲器:讀寫
金融界2025年6月20日消息，國家知識信息顯示，長鑫存儲技術（上海）有限公司申請一項名為“讀寫轉換電路以及存儲器”的，公開號CN120179172A，申請日期為2020年06月讀寫。摘要顯示，本發
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華為申請固態硬盤讀寫主機內存的，提高固態硬盤讀寫主機內存的效率:讀寫
金融界2025年4月26日消息，國家知識信息顯示，華為技術有限公司申請一項名為“固態硬盤讀寫主機內存的方法和裝置”的，公開號CN119861862A，申請日期為2023年10月讀寫。摘要顯示，本申請
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江蘇都萬電子取得防護存儲器數據讀寫裝置，為存儲板后續讀寫自動化提供基礎:讀寫
金融界2025年5月30日消息，國家知識信息顯示，江蘇都萬電子科技有限公司取得一項名為“一種防護存儲器的數據讀寫裝置”的，授權公告號CN222914433U，申請日期為2024年10月讀寫。摘要顯示
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江蘇華存電子申請固態硬盤讀寫速率分析方法及系統，提高固態硬盤讀寫速率的預測準確性:讀寫
金融界2025年6月23日消息，國家知識信息顯示，江蘇華存電子科技有限公司申請一項名為“一種固態硬盤讀寫速率分析方法及系統”的，公開號CN120179188A，申請日期為2025年05月讀寫。摘要顯
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山東云海國創申請一種數據讀寫方法，擴展內存顆粒數量并支持多處理器核心讀寫:讀寫
金融界2025年4月30日消息，國家知識信息顯示，山東云海國創云計算裝備產業創新中心有限公司申請一項名為“一種數據讀寫方法、裝置、設備及介質”的，公開號CN119883970A，申請日期為2025年1