-
中車株洲電力機(jī)車取得一種軌道車輛操作臺(tái)，使司機(jī)能舒適地在讀寫區(qū)上進(jìn)行讀寫:讀寫
金融界2025年4月21日消息，國家知識(shí)信息顯示，中車株洲電力機(jī)車有限公司取得一項(xiàng)名為“一種軌道車輛的操作臺(tái)”的，授權(quán)公告號(hào)CN222769397U，申請(qǐng)日期為2024年3月讀寫。摘要顯示，本實(shí)用公
-
特捷思電子標(biāo)簽取得RFID讀寫器結(jié)構(gòu)，解決讀寫器屏幕易被灰塵覆蓋或被物體碰撞的問題:讀寫
金融界2025年6月20日消息，國家知識(shí)信息顯示，特捷思電子標(biāo)簽（廣州）有限公司取得一項(xiàng)名為“一種RFID讀寫器結(jié)構(gòu)”的，授權(quán)公告號(hào)CN223006448U，申請(qǐng)日期為2024年09月讀寫。摘要顯示
-
安圖實(shí)驗(yàn)儀器申請(qǐng)應(yīng)用于免疫檢測模塊的多路RFID讀寫系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)多路多種功能RFID讀寫操作:讀寫
金融界2025年4月10日消息，國家知識(shí)信息顯示，安圖實(shí)驗(yàn)儀器（鄭州）有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“應(yīng)用于免疫檢測模塊的多路RFID讀寫系統(tǒng)”的，公開號(hào)CN119783712A，申請(qǐng)日期為2025年2月讀
-
京投億雅捷申請(qǐng)軌道交通讀寫器擴(kuò)展身份證，實(shí)現(xiàn)原有軌道交通讀寫器讀取身份證信息:讀寫
金融界2025年4月29日消息，國家知識(shí)信息顯示，京投億雅捷交通科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種軌道交通讀寫器擴(kuò)展身份證的裝置及方法”的，公開號(hào)CN119886175A，申請(qǐng)日期為2024年12月讀寫。
-
三一智能裝備取得基于傳感器的RFID讀寫器控制系統(tǒng)和焊接機(jī)器人系統(tǒng) 加大提高RFID讀寫器使用壽命:讀寫
金融界2025年6月10日消息，國家知識(shí)信息顯示，三一智能裝備有限公司取得一項(xiàng)名為“基于傳感器的RFID讀寫器控制系統(tǒng)和焊接機(jī)器人系統(tǒng)”的，授權(quán)公告號(hào)CN222965678U，申請(qǐng)日期為2024年04
-
飛諾門陣申請(qǐng)一種行鄰域圖像存儲(chǔ)體和行鄰域圖像并行讀寫的方法，提高了數(shù)據(jù)的讀寫速度:讀寫
金融界2025年5月12日消息，國家知識(shí)信息顯示，飛諾門陣（）科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種行鄰域圖像存儲(chǔ)體和行鄰域圖像并行讀寫的方法”的，公開號(hào)CN119963399A，申請(qǐng)日期為2024年12月讀
-
上海泊維勝科技申請(qǐng)一種DDR接口以及基于該接口的DDR讀寫控制方法，實(shí)現(xiàn)FPGA在單個(gè)DDR內(nèi)存條上的高效數(shù)據(jù)讀寫:讀寫
金融界2025年5月23日消息，國家知識(shí)信息顯示，上海泊維勝科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種DDR接口以及基于該接口的DDR讀寫控制方法”的，公開號(hào)CN120029939A，申請(qǐng)日期為2025年01月讀
-
軌道交通路網(wǎng)管理申請(qǐng)軌道交通多模態(tài)讀寫系統(tǒng)，能夠?qū)崿F(xiàn)多介質(zhì)識(shí)別與交互且具有高性能的讀寫器票卡處理系統(tǒng):讀寫
金融界2025年4月2日消息，國家知識(shí)信息顯示，軌道交通路網(wǎng)管理有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“軌道交通多模態(tài)讀寫系統(tǒng)”的，公開號(hào)CN119741762A，申請(qǐng)日期為2024年11月讀寫。摘要顯示，本發(fā)明
-
中石化申請(qǐng)基于工廠模式的多數(shù)據(jù)源自適應(yīng)讀寫方法和裝置，為地球物理地震成像軟件提供高效易用的地震數(shù)據(jù)自適應(yīng)讀寫技術(shù):讀寫
金融界2025年6月6日消息，國家知識(shí)信息顯示，石油化工股份有限公司;中石化石油物探技術(shù)研究院有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“基于工廠模式的多數(shù)據(jù)源自適應(yīng)讀寫方法和裝置”的，公開號(hào)CN120104535A，申請(qǐng)
-
杭州力芯存儲(chǔ)科技申請(qǐng)DLL模塊的電壓監(jiān)測電路和DRAM，實(shí)現(xiàn)在DRAM讀寫錯(cuò)誤時(shí)根據(jù)DLL模塊工作電壓區(qū)間確定是否因電壓低導(dǎo)致讀寫出錯(cuò):讀寫
金融界2025年6月10日消息，國家知識(shí)信息顯示，杭州力芯存儲(chǔ)科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“DLL模塊的電壓監(jiān)測電路和DRAM”的，公開號(hào)CN120126533A，申請(qǐng)日期為2025年05月讀寫。摘要顯