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索立得取得工業(yè)級(jí)分體式RFID讀寫(xiě)器，對(duì)接口進(jìn)行防塵防潮:讀寫(xiě)
金融界2025年7月22日消息，國(guó)家知識(shí)信息顯示，索立得（深圳）智能科技有限公司取得一項(xiàng)名為“一種工業(yè)級(jí)分體式RFID讀寫(xiě)器”的，授權(quán)公告號(hào)CN223140165U，申請(qǐng)日期為2024年07月讀寫(xiě)。
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rfid讀寫(xiě)器廠家:讀寫(xiě)
在當(dāng)今信息化和智能化快速發(fā)展的時(shí)代，物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，而RFID（射頻識(shí)別）技術(shù)正是其中的一個(gè)重要組成部分讀寫(xiě)。RFID技術(shù)通過(guò)無(wú)線電波實(shí)現(xiàn)對(duì)物體的識(shí)別和追蹤，廣泛應(yīng)用于物流、零售、交通、
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聯(lián)想（）申請(qǐng)本地?cái)?shù)據(jù)讀寫(xiě)方法及讀寫(xiě)裝置，提升數(shù)據(jù)讀寫(xiě)效率:讀寫(xiě)
金融界2025年5月9日消息，國(guó)家知識(shí)信息顯示，聯(lián)想（）有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“本地?cái)?shù)據(jù)讀寫(xiě)方法及讀寫(xiě)裝置”的，公開(kāi)號(hào)CN119938563A，申請(qǐng)日期為2025年1月讀寫(xiě)。摘要顯示，本申請(qǐng)公開(kāi)了一種
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浙江力積存儲(chǔ)科技申請(qǐng) DRAM 讀寫(xiě)時(shí)序調(diào)整電路和 DRAM ，使 DRAM 讀寫(xiě)過(guò)程的時(shí)序滿足規(guī)定的時(shí)序，避免存儲(chǔ)單元的讀寫(xiě)數(shù)據(jù)出錯(cuò):讀寫(xiě)
金融界2025年4月18日消息，國(guó)家知識(shí)信息顯示，浙江力積存儲(chǔ)科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“6942.DRAM讀寫(xiě)時(shí)序調(diào)整電路和DRAM”的，公開(kāi)號(hào)CN119811448A，申請(qǐng)日期為
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蘇州寬溫電子申請(qǐng)一種讀寫(xiě)電路等，用一個(gè)讀寫(xiě)電路實(shí)現(xiàn)兩種存儲(chǔ)單元的讀寫(xiě)切換:讀寫(xiě)
金融界2025年7月11日消息，國(guó)家知識(shí)信息顯示，蘇州寬溫電子科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種讀寫(xiě)電路、存儲(chǔ)電路及存儲(chǔ)器”的，公開(kāi)號(hào)CN120299484A，申請(qǐng)日期為2025年03月讀寫(xiě)。摘要顯示
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聯(lián)想申請(qǐng)一種文件讀寫(xiě)方法及裝置，提高文件讀寫(xiě)效率:讀寫(xiě)
金融界2025年5月14日消息，國(guó)家知識(shí)信息顯示，聯(lián)想（）有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種文件讀寫(xiě)方法及裝置”的，公開(kāi)號(hào)CN119961024A，申請(qǐng)日期為2025年1月讀寫(xiě)。摘要顯示，本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)了
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熙壤申請(qǐng)閃存數(shù)據(jù)讀寫(xiě)處理，提高閃存讀寫(xiě)性能并優(yōu)化延時(shí):讀寫(xiě)
金融界2025年5月14日消息，國(guó)家知識(shí)信息顯示，熙壤（）電子技術(shù)有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種閃存數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)處理方法、裝置及設(shè)備”的，公開(kāi)號(hào)CN119960679A，申請(qǐng)日期為2025
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群聯(lián) E28 SSD 主控實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)：順序讀寫(xiě) 14500 MB/s，隨機(jī)讀寫(xiě)霸榜:讀寫(xiě)
IT之家5月14日消息，在今年CES大展期間，群聯(lián)（Phison）推出旗艦消費(fèi)級(jí)PCIe5.0×4固態(tài)硬盤(pán)主控產(chǎn)品PS5028-E28讀寫(xiě)。科技媒體Tom'sHardware
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惠存半導(dǎo)體申請(qǐng)?zhí)嵘齊AM讀寫(xiě)性能方法，智能化提升RAM讀寫(xiě)性能:讀寫(xiě)
金融界2025年6月23日消息，國(guó)家知識(shí)信息顯示，深圳市惠存半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種提升RAM讀寫(xiě)性能的方法、電子設(shè)備及介質(zhì)”的，公開(kāi)號(hào)CN120179170A，申請(qǐng)日期為2025年03月讀寫(xiě)
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奇瑞申請(qǐng)偽雙端口RAM讀寫(xiě)控制相關(guān)，提高偽雙端口RAM的讀寫(xiě)效率:讀寫(xiě)
金融界2025年5月22日消息，國(guó)家知識(shí)信息顯示，奇瑞汽車(chē)股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“偽雙端口RAM的讀寫(xiě)控制方法、裝置、設(shè)備以及存儲(chǔ)介質(zhì)”的，公開(kāi)號(hào)CN120015075A，申請(qǐng)日期為2025年01月